Was ist unterschied zwischen dynamische halbleiterspeicher statischen

In einer statischen Speicherzelle wird der Zustand 0 oder 1 mit Hilfe einer Flipflop-Schaltung gespeichert, beim dynamischen RAM als Ladezustand eines Kondensators. Eine SRAM-Speicherzelle hat den Vorteil, dass der Speicherinhalt sehr schnell geschrieben und wieder ausgelesen werden kann, aber den Nachteil, dass sie sehr aufwendig und platzbeduerftig ist. Eine DRAM-Speicherzelle hat den Vorteil, dass sie sehr viel einfacher als SRAM ist , aber den Nachteil, dass sie regelmaessig wieder aufgefrischt werden muss, weil der Kondensator seine Ladung sonst zu schnell verliert. Ausserdem kann der Zustand nicht so schnell gelesen und geschrieben werden. Aus diesen Gruenden ist der Hauptspeicher eines Rechners meist als DRAM ausgefuehrt , waehrend ein Cache-Speicher oft als SRAM ausgefuehrt ist.